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金和镍掺杂单晶硅片式负温度系数热敏电阻及其制备方法
| 专利名称: |
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| 英文名称: |
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| 专利类别: |
发明专利
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| 申请号: |
200810072972.6
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| 申请日期: |
2008-10-15
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| 授权日期: |
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| 专利号: |
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| 第一发明人: |
陈朝阳
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| 其它发明人: |
范艳伟,董茂进,丛秀云,陶明德,王军华
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| 国外申请日期: |
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| 国外申请方式: |
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| 专利授权日期: |
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| 缴费情况: |
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| 实施情况: |
本单位实施
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| 专利证书号: |
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| 专利摘要: |
本发明涉及金和镍掺杂单晶硅片式热敏电阻，该热敏电阻采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素金和镍作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中，利用金和镍在n型单晶硅中的电补偿性质，制备出负温度系数热敏材料，然后在精密划片机上划片，芯片两端制作电极，其电极采用镍、银两层结构，实现
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| 其它备注: |
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