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科研成果 |
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研究室 |
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重点实验室 |
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单晶硅正温度系数片式热敏电阻器及其制备方法
| 专利名称: |
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| 英文名称: |
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| 专利类别: |
发明专利
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| 申请号: |
200810072970.7
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| 申请日期: |
2008-10-15
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| 授权日期: |
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| 专利号: |
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| 第一发明人: |
陈朝阳
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| 其它发明人: |
范艳伟,丛秀云,陶明德,王军华,董茂进
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| 国外申请日期: |
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| 国外申请方式: |
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| 专利授权日期: |
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| 缴费情况: |
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| 实施情况: |
本单位实施
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| 专利证书号: |
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| 专利摘要: |
本发明涉及一种较为简便的单晶硅正温度系数片式热敏电阻器及其制备方法，该电阻器是以单晶硅为敏感体，采用单片式结构，在敏感体两端制备端电极，端电极由内到外包括镍电极和银电极两层。本发明采用双层电极的方法实现单晶硅材料和金属电极的欧姆接触。先对硅片表面镀镍，制备
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| 其它备注: |
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