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科研成果 |
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重点实验室 |
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过渡金属多重掺杂负温度系数单晶硅热敏电阻
| 专利名称: |
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| 英文名称: |
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| 专利类别: |
发明专利
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| 申请号: |
200710180002.3
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| 申请日期: |
2007-10-24
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| 授权日期: |
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| 专利号: |
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| 第一发明人: |
陈朝阳
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| 其它发明人: |
范艳伟、丛秀云
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| 国外申请日期: |
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| 国外申请方式: |
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| 专利授权日期: |
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| 缴费情况: |
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| 实施情况: |
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| 专利证书号: |
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| 专利摘要: |
本发明涉及一种过渡金属多重掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用涂源高温扩散方法，将过渡金属元素锰和铜作为掺杂剂，掺入P型单晶硅中；利用锰和铜在P型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值低阻值热敏电阻，电学参数为50Ω—1.2 KΩ，材料B值4100—4500K。
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| 其它备注: |
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