|
 |
科研成果 |
|
|
|
 |
研究室 |
|
|
|
|
|
重点实验室 |
|
|
|
|
|
|
|
|
对管式差分输出PMOS辐射剂量计
| 专利名称: |
|
| 英文名称: |
|
| 专利类别: |
发明专利
|
| 申请号: |
200410094862.1
|
| 申请日期: |
2004-11-17
|
| 授权日期: |
2007-1-24
|
| 专利号: |
ZL200410094862.1
|
| 第一发明人: |
郭旗
|
| 其它发明人: |
任迪远
|
| 国外申请日期: |
|
| 国外申请方式: |
|
| 专利授权日期: |
2007-1-24
|
| 缴费情况: |
|
| 实施情况: |
本单位实施
|
| 专利证书号: |
|
| 专利摘要: |
本发明涉及一种对管式差分输出PMOS辐射剂量计，该剂量计包括对管式差分输出PMOS剂量计探头、测量偏置方法、剂量记录读出技术、温度补偿方法和退火效应修正方法；利用双p-沟道金属-氧化物-半导体晶体管pMOSFET构成的对管式差分输出的PMOS剂量测量探头；利用该探头构成的辐射剂
|
| 其它备注: |
|
|
|
|
