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科研成果 |
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研究室 |
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重点实验室 |
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一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
| 专利名称: |
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| 英文名称: |
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| 专利类别: |
发明专利
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| 申请号: |
200310116749.4
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| 申请日期: |
2003-11-20
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| 授权日期: |
2007-10-26
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| 专利号: |
ZL200310116749.4
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| 第一发明人: |
巴维真
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| 其它发明人: |
陈朝阳;丛秀云;张建
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| 国外申请日期: |
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| 国外申请方式: |
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| 专利授权日期: |
2007-10-26
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| 缴费情况: |
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| 实施情况: |
本单位实施
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| 专利证书号: |
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| 专利摘要: |
本发明涉及一种锰掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻通过金属锰真空高温扩散或硝酸锰涂层高温扩散将锰掺入单晶硅中，锰原子形成深施主能级，硅单晶成为高度补偿的半导体材料。温度升高，深能级俘获的载流子跃迁至导带，引起材料电阻率发生变化，从而呈现热敏特性，改
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| 其它备注: |
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