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科研成果 |
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研究室 |
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重点实验室 |
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星用辐射效应探测器
| 专利名称: |
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| 英文名称: |
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| 专利类别: |
发明专利
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| 申请号: |
99102022.7
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| 申请日期: |
1999-2-2
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| 授权日期: |
2003-10-22
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| 专利号: |
ZL99102022.7
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| 第一发明人: |
范隆
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| 其它发明人: |
任迪远;严荣良
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| 国外申请日期: |
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| 国外申请方式: |
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| 专利授权日期: |
2003-10-22
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| 缴费情况: |
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| 实施情况: |
本单位实施
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| 专利证书号: |
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| 专利摘要: |
一种与星上数据采集系统配套使用，检测粒子辐射对ＣＭＯＳ集成电路影响的星用ＣＭＯＳ辐射效应探测器，能完成对电离辐射敏感的ＣＣ４００７电路Ｎ沟管阈电压值检测。主要由测量控制电路、恒流源电路、电压输出接口电路和被测ＣＭＯＳ４００７组成，采用星上数据采集系统给出的
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| 其它备注: |
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