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科研成果 |
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研究室 |
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重点实验室 |
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氧化物半导体热敏电阻及其制造方法
| 专利名称: |
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| 英文名称: |
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| 专利类别: |
发明专利
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| 申请号: |
97122363.7
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| 申请日期: |
1997-12-3
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| 授权日期: |
2002-2-20
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| 专利号: |
Zl97122363.7
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| 第一发明人: |
杨文
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| 其它发明人: |
康健;张昭;任瑞霞;郑轶明;王大为
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| 国外申请日期: |
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| 国外申请方式: |
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| 专利授权日期: |
2002-2-20
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| 缴费情况: |
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| 实施情况: |
本单位实施
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| 专利证书号: |
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| 专利摘要: |
本发明涉及一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法，其主要是以铝、锰、镍的硝酸盐或醋酸盐为原料，采用液相共沉淀法制备材料粉体，加入乳化剂ＯＰ进行清洗，然后将粉体进行分解、研磨、预烧后制成。该热敏电阻为环氧密封单端引线珠状，具有体积小，稳定性好，可靠性高等特点，
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| 其它备注: |
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