|
 |
科研成果 |
|
|
|
 |
研究室 |
|
|
|
|
|
重点实验室 |
|
|
|
|
|
|
|
|
氧化物半导体热敏电阻及其制造方法
| 专利名称: |
|
| 英文名称: |
|
| 专利类别: |
发明专利
|
| 申请号: |
96122179.8
|
| 申请日期: |
1996-12-14
|
| 授权日期: |
1999-10-27
|
| 专利号: |
ZL96122179.8
|
| 第一发明人: |
康健
|
| 其它发明人: |
杨文;张昭;王大为
|
| 国外申请日期: |
|
| 国外申请方式: |
|
| 专利授权日期: |
1999-10-27
|
| 缴费情况: |
|
| 实施情况: |
本单位实施
|
| 专利证书号: |
|
| 专利摘要: |
本发明涉及一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法，其主要是以钴、锰、镍、铁的硝酸盐或醋酸盐为原料，采用液相共沉淀法制备材料粉体，加入乳化剂ＯＰ进行清洗，然后将粉体进行分解、研磨、预烧后制成。该热敏电阻为玻璃密封两端引线型，具有体积小，稳定性好，可靠性高等特点
|
| 其它备注: |
|
|
|
|
