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科研成果 |
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研究室 |
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重点实验室 |
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掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法
| 专利名称: |
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| 英文名称: |
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| 专利类别: |
发明专利
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| 申请号: |
87103486.3
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| 申请日期: |
1987-5-7
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| 授权日期: |
1988-12-1
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| 专利号: |
ZL87103486.3
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| 第一发明人: |
韦风辉
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| 其它发明人: |
李国华;柳培立
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| 国外申请日期: |
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| 国外申请方式: |
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| 专利授权日期: |
1988-12-1
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| 缴费情况: |
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| 实施情况: |
本单位实施
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| 专利证书号: |
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| 专利摘要: |
本发明提供一种掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法，属于温度敏感器技术领域。它主要采用在Ｐ型单晶硅中掺入金、铂两种杂质的方法，使电阻呈现负温度特征，其Ｂ值为３８５０Ｋ，Ｂ值的偏差分布小于±０．３％，使用温区为－５０℃～１００℃之间。由于该电阻元件的Ｂ值
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| 其它备注: |
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