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科研成果 |
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研究室 |
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重点实验室 |
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掺金硅互换热敏电阻
| 专利名称: |
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| 英文名称: |
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| 专利类别: |
发明专利
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| 申请号: |
85102901.9
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| 申请日期: |
1985-4-1
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| 授权日期: |
1988-6-23
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| 专利号: |
ZL85102901.9
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| 第一发明人: |
阿帕尔
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| 其它发明人: |
陶国强;陶明德
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| 国外申请日期: |
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| 国外申请方式: |
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| 专利授权日期: |
1988-6-23
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| 缴费情况: |
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| 实施情况: |
本单位实施
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| 专利证书号: |
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| 专利摘要: |
本发明属于半导体温度传感器领域。本发明采用氯化金涂层扩散，当金和本底净杂质浓度之比为１～１．５时，形成稳定性好，Ｂ值为来４０００Ｋ～６０００Ｋ，其均匀度优于０．１％的掺金硅热敏材料。利用该材料的双面高阻层做成串联式热敏电阻，经机械调值后，元件在－３０～＋５
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| 其它备注: |
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