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姓    名:
李豫东
性    别:
职    务:
 
职    称:
研究员(自然科学)
通讯地址:
乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码:
830011
电子邮件:
 

 简历:
 
    李豫东,男,汉族,1982年生于新疆伊犁,工学博士,中国科学院新疆理化技术研究所研究员。2004年7月毕业于吉林大学,电气工程及其自动化专业,获工学学士学位,2009年6月于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,光学工程专业,获工学博士学位,2009年7月到中国科学院新疆理化技术研究所参加工作。
 
主要研究领域:
    半导体器件和集成电路的辐射效应与机理、模拟试验方法、试验系统研究。
1. 光电材料与器件的辐射效应与机理研究
   研究光电器件、光电材料与光学材料的辐射效应规律和辐射损伤物理机制。
2. 新型电子元器件辐射效应模拟试验方法
   光电成像器件、大规模集成电路的辐射效应测试技术、损伤失效模式、辐射损伤表征方法、模拟试验技术和评估方法研究。
3. 新型电子元器件辐射效应试验系统研究
   光电成像器件、大规模集成电路的测试方法研究与测试设备的研制。
 
代表性文章:
1.李豫东,张立国,任建岳,空间光学遥感器中Flash存储器的辐射效应与加固,光学精密工程, 2008,16(10):1858-1863.
2.李豫东,任建岳,金龙旭,张立国,SRAM、ROM的总剂量辐射效应及损伤分析,光学精密工程, 2009,17(4): 787-793.
3.李豫东,郭旗,陆妩等,CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究,原子能科学技术,2012,3(46):347-350.
4.李豫东,任建岳,金龙旭,面向对象的嵌入式系统电源管理模型,计算机工程, 2009,35(9): 14-16.
5.张立国,李豫东,刘则洵等,TDI-CCD总剂量辐射效应及测试,光学精密工程, 2009,17(12):2924-2930.

 研究领域:
 

物理学

 社会任职:
 

 获奖及荣誉:
 

 代表论著:
 

 承担科研项目情况:
 

 代表论著:
 

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