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姓    名:
陆妩
性    别:
职    务:
 
职    称:
研究员(自然科学)
通讯地址:
乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码:
830011
电子邮件:
luwu@ms.xjb.ac.cn

 简历:
 

  陆妩,女,汉族,九三社员,理学硕士,中国科学院新疆理化技术研究所研究员,博士生导师,新疆大学兼职教授;中国电子学会可靠性分会委员;新疆核学会理事;2011年,芬兰Aalto大学微纳电子科学与技术学院高级访学者

主要研究领域以及成就:

  长期从事微电子器件和模拟电路的总剂量辐射效应、损伤机理、评估方法及抗辐射加固技术的研究,先后主持并承担该领域国家863、国家重点自然科学基金等研究课题30余项;发表学术论文160余篇。其中,被SCI收录33篇,EI收录102篇;曾获得中科院科技进步一、三等奖各1项;新疆维吾尔自治区科技进步一等奖2项,二、三等奖各1项;已培养博士研究生8人,硕士研究生17人。

主要荣誉:

  曾荣获新疆自治区“优秀硕士论文指导教师”(2013年)、中国科学院“朱李月华优秀教师” (2012年)、九三学社“全国优秀社员”(2012年)、新疆自治区“优秀博士论文指导教师”(2011年)、新疆自治区“优秀硕士论文指导教师”(2010年)、新疆自治区直属机关“巾帼建功标兵”(2009年)等荣誉称号。

代表性文章:

  1. Li Xiaolong, Lu Wu*, Ma Wuying, et.al, Use of Temperature-Switching Approach to Evaluate the ELDRS, RADECS 2016, in Bremen, Germany

  2. Xin Wang, Wu Lu* Wu-Ying Ma, et.al, Radiation Resistance of Fluorine-Implanted PNP Using Gated-Controlled Lateral PNP Transistor Structure CHIN. PHYS. LETT. 2016,33(8): 086101-1-3

  3. Mo-Han Liu, Wu Lu*, Wu-Ying Ma, et.al, Total ionizing dose e?ects of domestic SiGe HBTs under di?erent dose rates, Chinese Physics C 2016,40(3): 036003-1-5

  4. Wu Xue, Lu Wu*, Li Yudong, et.al, TID effect in 12-bit 125 MSPS Pipe-Line Analog-to-Digital Converter. Journal of Senmiconductors. 2014, 35(4):044008-1-5.

  5.WU Xue, LU Wu* Wang Xin ,et.al, Influence of channel length and layout on TID for 0.18μm NMOS transistors, NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2013,24(6): 060202-1-6

  6.Deng Wei, Lu Wu* ,Guo Qi, et.al,“An Accelerated Evaluation Method for ELDRS of Bipolar Linear Regulators Using Ladder Temperature Irradiation Experiment”, 2013 IEEE NSS/MIC/RTSD, in Seoul, Korea.

  7.Zheng Yuzhan Lu Wu* Ren Diyuan, “Accelerated Evaluating the ELDRS of Bipolar Operational Amplifiers by Using Temperature Swithing Approach”,RADECS 2013, in Oxford, UK,

  8.Wang Xin,Lu Wu*, Guo Qi,et.al,Total ionizing dose effects on 12-bit CBCMOS digital-to-analog converters,Journal of Semiconductors,2013, 34(12):124006-1-7.

 研究领域:
  物理学类其他专业

 社会任职:
 

 获奖及荣誉:
 

 代表论著:
 

 承担科研项目情况:
 

 代表论著:
 

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