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研究队伍 |
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研究室 |
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重点实验室 |
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姓 名: |
任迪远 |
性 别: |
男 |
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职 务: |
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职 称: |
研究员(自然科学) |
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通讯地址: |
乌鲁木齐市北京南路40号附1号 |
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邮政编码: |
830011 |
电子邮件: |
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| 简历： |
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任迪远，男，汉族，1950年生于新疆。中共党员，研究员，博士生导师。
任迪远同志长期从事半导体辐射物理领域的研究工作，先后主持或承担了国家自然科学基金、国家“863”、航天科技预先研究、航天科技基金、中科院基础重点研究、赴美国耶鲁大学合作进行美国国家自然科学基金项目研究等20余项科研课题。获国家科技进步三等奖１项；中科院科技进步一等奖1项、二等奖2项、三等奖2项；新疆维吾尔自治区科技进步二等奖2项、三等奖1项。近期主要从事双极类器件和电路的低剂量率辐射损伤增强效应及实验室加速模拟评估方法的研究；大规模集成电路、SOI器件和电路的辐射损伤评估等方面的研究。目前已培养研究生26人（博士2人、硕士24人）。发表论文130余篇。
任迪远同志主要的学术兼职有：新疆维吾尔自治区科协委员，中国核学会理事，新疆维吾尔自治区核学会理事长，中国抗辐射电子学与电磁脉冲专业委员会委员；《Chinese Physics B》、《Journal of Semiconductors》等国内核心期刊的论文评审专家。
任迪远同志曾被国家863授予“《十五》国家863先进个人”称号，及中国科学院授予的“《十五》预先研究先进个人”称号。曾多次被评为新疆维吾尔自治区的优秀专家，享受国务院颁发的政府特殊津贴，并获2000年中国科学院优秀领导班子奖。
主要研究领域：
1． 数字电路、模拟电路及光电器件的总剂量辐射效应及损伤机理研究；
2． 数字电路、模拟电路及光电器件的辐射损伤评估方法研究；
3． 数字和模拟电路及器件的抗辐射加固技术研究；
代表性文章 REPRESENTATIVE PUBLICATIONS
1、任迪远，陆妩，余学峰，郭旗，艾尔肯，“双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究”，固体电子学研究与进展，2006，26（4）：471。
2、任迪远，陆妩，郭旗，余学锋等，“CMOS运算放大器的辐照和退火行为”半导体学报，2004，25（6）：731。
3、任迪远，陆妩，余学锋，郭旗，张国强，“不同注F剂量与CMOS运放电路的辐照损伤的相关性” 半导体学报，2003，21（7）：780。
4、任迪远，余学锋，艾尔肯，张国强，陆妩，郭旗，范隆，严荣良，“MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系”，固体电子学研究与进展，2001,21(1):103.
5、任迪远，陆妩，郭旗，余学锋，严荣良，“不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应”，半导体学报, 2000,21（9）：898。
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