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科研成果 |
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研究室 |
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重点实验室 |
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| 论文编号: |
O119960009 |
| 作者: |
任迪远 |
| 刊物名称: |
Nuclear Science and Techniques（核技术：英文版） |
| 所属学科: |
辐射物理与技术 |
| 论文题目英文: |
Effects of Radiation-Induced Oxide and Interface Charges on Mobility Degradation in MOSFETs |
| 年: |
1996 |
| 卷: |
7 |
| 期: |
3 |
| 页: |
183 |
| 联系作者: |
任迪远 |
| 收录类别: |
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| 影响因子: |
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| 参与作者: |
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| 备注: |
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